c. Mạch phân cực bằng cầu phân áp:

Chương 4: Mạch phân cực transistor.



I R1 = I R 2 =



V DD

R1 + R2



(4.54)



2. MOSFET

a. MOSFET KÊNH CÓ SẲN:

Sự giống nhau giữa các đường cong của JFET và MOSFET kênh có sẳn cho phép phân tích phân cực

dc giống nhau. Sự khác nhau cơ bản là MOSFET kênh có sẳn cho phép các điểm hoạt động với các giá trị

dương của VGS và ID lớn hơn giá tr? IDSS. Trong thực tế đối với tất cả các cấu hình đã khảo sát thì việc phân

tích JFET có thể thay thế bằng MOSEFET kênh có sẳn.

b. MOSFET KÊNH CHƯA CÓ SẲN:

Các đặc tính của MOSFET kênh chưa có sẳn hoàn toàn khác với JFET và MOSFET kênh có sẳn ở

điểm là dòng điện cực máng của MOSFET kênh chưa có sẳn bằng 0 khi điện áp V GS nhỏ hơn điện áp ngưỡng

VTh như được trình bày trong hình 4.46.

Khi điện áp VGS lớn hơn VTh thì dòng điện cực máng xác định theo phương trình:

2

(4.55)

I D = k (VGS − VTh )

Do bảng thông số của MOSFET thường cung cấp giá trị điện áp ngưỡng của dòng điện I D(on) và giá trị

điện áp VGS(on) tương ứng. Hai điểm này được xác định trong hình 4.46, từ phương trình 4.55 và từ các giá trị

đã cho ta tính hệ số k theo phương trình



k=



(V



I D ( ON )



GS ( ON )



− VTh )



(4.56)



Khi thông số k đã xác định thì các giá trì khác của dòng I D có thể xác định đối với các giá trị đã chọn

của VGS.



Hình 4-46: Đặc tuyến truyền đạt của E_MOSFET.

(1) Mạch phân cực hồi tiếp:

Sơ đồ mạch phân cực như hình 4-47. Do dòng I G = 0 mA nên VRG = 0V khi đó mạch điện tương đương

như hình 4-48.



81



Chương 4: Mạch phân cực transistor.



Hình 4-47.

Đối với mạch điện ngõ ra ta có phương trình:



Hình 4-48.



VDS = VDD − I D RD



Có thể thay VGS = VDS ta được:



VGS = VDD − I D RD



(4.57)

Vẽ đồ thị của phương trình (4-55) và đồ thị của phương trình (4-57) như hình 4-49 xác định được

điểm tĩnh Q và xác định được dòng điện ICQ và điện áp VGSQ.



Hình 4-49.

(2) Mạch phân cực bằng cầu phân áp:

Sơ đồ mạch như hình 4-50. Dòng điện IG = 0mA nên điện áp VG được xác định theo công thức:



VG =



R2VDD

R1 + R2



Áp dụng định luật Kirchhoff suy ra điện áp VGS:



VGS = VG − I D RS



(4.58)

Vẽ đồ thị của (4-58) và đồ thị của phương trình (4-57) như hình 4-51, xác định được điểm tĩnh Q và

xác định được dòng điện ICQ và điện áp VGSQ.

Áp dụng định luật Kirchhoff đối với ngỏ ra tính được:



VDS = VDD − I D ( RS + RD )



82



Chương 4: Mạch phân cực transistor.



Hình 4-50



Hình 4-51.



83