1 Linh kiện bán dẫn transistor

Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp (PN), nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận, nếu ghép theo thứ tự NPN

ta được Transistor ngược.



Hình 2-1 Cấu tạo transistor

Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực

•



Cực gốc B (Base): nằm ở giữa và khácloại bán dẫn với hai lớp bán dẫn

còn lại: lớp bán dẫn này rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp.



•



Cực phát E (Emitter) và cực góp C (Collector): nằm phía ngoài và cùng

là loại bán dẫn với nhau, nhưng nồng độ tạp chất trong 2 lớp bán dẫn là

khác nhau nên không để hoán đổi vị trí cho nhau được.



b) Nguyên tắc hoạt động của Transistor



Xét hoạt động của Transistor NPN



9



Hình 2-2: Nguyên lý hoạt động của transistor NPN

Ta cấp một nguồn một chiều Uce vào hai chân C và chân E, chân C nguồn (+)

và chân E nguồn (-). Cấp nguồn một chiều Ube đi qua công tắc và qua điện trở

giảm dòng vào hai chân B và E, chân B là nguồn (+) và chân E là nguồn (-).

Khi công tắc mở, ta thấy rằng mặc dù hai chân C và E đã được cấp điện nhưng

vẫn không có dòng điện chạy qua mối CE (lúc này dòng Ic = 0).

Khi công tắc đóng, mối P-N được phân cực thuận do đó có một dòng điện

chạy từ nguồn (+) qua công tắc, qua điện trở giảm dòng, qua mối BE về nguồn (-)

tạo thành dòng Ib. Ngay khi dòng Ib xuất hiện thì lập tức cũng có dòng Ic chạy qua

mối CE làm bóng đèn phát sáng, và dòng Ic mạnh gấp nhiều lần dòng Ib, như vậy

rõ ràng dòng Ic hoàn toàn phụ thuộc vào dòng Ib và phụ thuộc theo một công thức:

Ic = β.Ib



(2.1)



Trong đó

Ic: dòng chạy qua mối ghép CE

Ib: dòng chạy qua mối ghép BE

β: hệ số khuyếch đại của Transistor

10



c) Cách xác định chân E, B, C và thông số của Transistor.



Để xác định chân cực của transistor ta dựa vào tên của linh kiện, sau đó tra

“datasheet” theo tên linh kiện để biết được thứ tự các chân cũng như các thông số

kỹ thuật của linh kiện.

Các thông số kỹ thuật của Transistor

• Dòng điện cực đại: Là dòng điện giới hạn của transistor, vượt qua dòng giới

hạn này transistor sẽ bị hỏng.

• Điện áp cực đại: Là điện áp giới hạn của transistor đặt vào mối ghép CE,

vượt qua điện áp giới hạn này Transistor sẽ bị đánh thủng.

• Tấn số cắt: Là tần số giới hạn mà transistor làm việc bình thường, vượt quá

tần số này thì độ khuyếch đại của transistor bị giảm.

• Hệ số khuyếch đại: Là tỷ lệ biến đổi của dòng Ic lớn gấp bao nhiêu lần dòng

Ib

• Công suất cực đại: Khi hoạt động transistor tiêu tán một công suất

P=Uce.Ice nếu công suất này vượt quá công suất cực đại của Transistor thì

transistor sẽ bị hỏng.

d) Các kiểu mắc của transistor và những ứng dụng

Mắc theo kiểu E chung

Có tín hiệu đưa vào chân B và lấy tính hiệu ra trên chân C, mạch điện có sơ đồ

như: Hình 2-3.



11



VCC



Rdt



Rc



Q?

Rpa



GND



Hình 2-3: Sơ đồ mắc E chung

Đặc điểm của mạch khuếch đại E chung:

Mạch làm việc theo chế độ khuếch đại, tín hiệu ra có cùng với dạng tín hiệu

vào. Biên độ tín hiệu ra thu được lớn hơn biên độ tín hiệu vào nhiều lần, như vậy

mạch khuếch đại về điện áp. Dòng tín hiệu đầu ra lớn hơn dòng tín hiệu đầu vào

nhưng không nhiều.

Tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào: vì khi điện áp tín hiệu vào

tăng cũng dẫn tới dòng Ibe tăng và dòng Ice tăng gấp β lần. Hiệu điện thế hai đầu

Rc tăng và kết quả làm cho điện áp của chân C giảm. Và ngược lại điện áp đầu vào

giảm thì điện áp tại chân C lại tăng, như vậy ta có điện áp ra ngược pha với điện áp

vào.

Mắc theo kiểu E chung được ứng dụng trong nhiều mạch điển tử. Khi ta điều

khiển điện áp tại chân B lúc này transistor hoạt động như một công tắc điện tử cho

phép phụ tải mắc ra tại chân C có hoạt động hay không hoạt động.

Transistor mắc theo kiểu C chung

Mắc theo kiểu C chung có tín hiệu được đưa vào chân B và lấy tín hiệu ra ở

chân E, mạch có sơ đồ như Hình 2-4:



12



VCC



Rdt



Rc

Q?



Rpa



GND



Hình 2-4: Sơ Đồ Mắc C chung

Đặc điểm của mạch khuếch đại C chung

Mạch khuếch đại có tín hiệu ra giống với tín hiệu vào. Biên độ tín hiệu ra

bằng biên độ tín hiệu vào. Do hiệu điện thế UBE là 0.6 V không thay đổi, cho nên

khi tăng điện áp chân B bao nhiêu thì điện áp chân E cũng tăng lên bấy nhiêu. Vì

vậy tín hiệu ra có biên đô cùng pha với tín hiệu vào.

Cường độ của tín hiệu ra mạnh hơn cường độ của tín hiệu vào nhiều lần : vì

khi tín hiệu vào có biên độ tăng dẫn tới dòng Ibe sẽ tăng, dòng Ice cũng tăng gấp

(β) lần dòng Ibe.

Sơ đồ được ứng dụng nhiều trong các mạch khuếch đại đệm Damper, trước

khi chia tín hiệu làm nhiều nhánh , người ta thường dùng mạch Damper để khuếch

đại cho tín hiệu khoẻ hơn. Ngoài ra mạch còn được ứng dụng rất nhiều trong các

mạch ổn áp nguồn.

Ngoài ra transistor còn được lắp theo sơ đồ mạch B chung, nhưng ít được sử

dụng trên các mạch điện tử trong thực tế.



13



2.2



Vi xử lý, vi điều khiển

Là những thiết bị ứng dụng đến công nghệ vi điện tử, công nghệ tích hợp và



khả năng xử lý theo chương trình vào các lĩnh vực khác nhau. Vi xử lý sử dụng

trong các công việc tính toán, còn vi điều khiển được ứng dụng trong các hệ thống

điện tử hiện đại với mục đích nhỏ gắn liền với thực tế.

a) Cấu trúc của một vi điều khiển



Hình 2-5 Cấu trúc vi điều khiển

Read Only Memory (ROM)

Read Only Memory (ROM) là một loại bộ nhớ được sử dụng để lưu vĩnh viễn

các chương trình được thực thi. Kích cỡ của chương trình có thể được viết phụ

thuộc vào kích cỡ của bộ nhớ này. ROM có thể được tích hợp bên trong vi điều

khiển hay thêm vào như là một chip gắn bên ngoài, tùy thuộc vào loại vi điều

khiển. Cả hai đều có một số ưu nhược điểm. Nếu ROM được thêm vào như là một

chip bên ngoài, các vi điều khiển là rẻ hơn và các chương trình có thể tồn tại lâu

hơn đáng kể. Nhưng đồng thời, làm giảm số lượng các chân vào/ra để vi điều

14



khiển sử dụng với mục đích khác. ROM nội thường là nhỏ hơn và đắt tiền hơn,

nhưng lại có thêm những lá ghim để kết nối với môi trường ngoại vi. Kích thước

của dãy ROM từ 512B đến 64KB.

Random Access Memory (RAM)

Random Access Memory (RAM) là một loại bộ nhớ sử dụng cho các dữ liệu

lưu trữ tạm thời và kết quả trung gian được tạo ra và được sử dụng trong quá trình

hoạt động của bộ vi điều khiển. Nội dung của bộ nhớ này bị xóa một khi nguồn

cung cấp bị tắt.

Electrically Erasable Programmable ROM (EEPROM)

EEPROM là một kiểu đặc biệt của bộ nhớ chỉ có ở một số loại vi điều khiển.

Nội dung của nó có thể được thay đổi trong quá trình thực hiện chương trình (tương

tự như RAM), nhưng vẫn còn lưu giữ vĩnh viễn, ngay cả sau khi mất nguồn (tương

tự như ROM). Nó thường được dùng để lưu trữ các giá trị được tạo ra và được sử

dụng trong quá trình hoạt động (như các giá trị hiệu chuẩn, mã, các giá trị để đếm,

v.v..), mà cần phải được lưu sau khi nguồn cung cấp ngắt. Một bất lợi của bộ nhớ

này là quá trình ghi vào là tương đối chậm.

Các thanh ghi chức năng đặc biệt (SFR)

Thanh ghi chức năng đặc biệt (Special Function Registers) là một phần của bộ

nhớ RAM, mục đích của chúng được quy định trước bởi nhà sản xuất và không thể

thay đổi được. Các thanh ghi dùng có chức năng truy nhập đến ô nhớ dữ liệu, ghi

dữ liệu từ ô nhớ, có một số thanh ghi điều khiển quá trình hoạt động của vi điều

khiển. Các bit của chúng được liên kết vật lý tới các mạch trong vi điều khiển như

bộ chuyển đổi A/D, modul truyền thông nối tiếp,… Mỗi sự thay đổi trạng thái của

các bit sẽ tác động tới hoạt động của vi điều khiển hoặc các vi mạch.



15